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米国(2): RCE (Request for Continued Examination)

もう一つ米国特許制度の大きな特徴と言えるのが、RCE(Request for Continued Examination)の存在です。

RCEは、最後の審査通知(final office action)が出た後に、拒絶を克服できない場合に、継続審査を要求できる制度です。[*但し、意匠特許(design patent)や再審査中の特許に関しては、利用できません。]そしてこのRCEは出願が生きている間は何度でも請求することができます。(数年前に、米国特許庁がこのRCEの回数を制限するためのルール改正を行うことを発表したが、訴訟になり、結局は特許庁が敗訴してルール改正は無くなった。)

要するに、米国出願は、出願が生きている限り何度最後の拒絶を受けても許可になるまで何度でもチャレンジできるということになります。このような制度は、米国にしかありません。例えば、日本でしたら、特許性を否定され続けた場合には以下の経緯を辿ることになります。

日本の場合
最後の審査通知 → 拒絶査定 (特許庁審査部)

拒絶査定不服審判 (特許庁審判部)

知的財産高等裁判所への提訴

最高裁判所への上告

日本においても、裏技的な手段として、拒絶査定を受けたら分割出願を行うということもありますが、この場合、勿論、分割出願の請求項を親出願と同じにならないよう補正する必要があります。即ち、分割出願はあくまで新たな出願として審査されるのであって、米国のように審査が継続されるわけではありません。(日本では、もし仮に分割出願の請求項に親出願の審査において拒絶された発明が含まれていると、最初の審査通知であっても、最後の拒絶理由通知への応答の場合と同様に補正の制限が課される。要するに削除、減縮、誤記訂正、明瞭化の目的の補正のみが可能で、新たな特徴を付加するような補正は許可されない。)

欧州では、拒絶査定になってしまったら、欧州特許庁の審判部(Board of Appeal)における拒絶査定不服審判で争いますが、原則その先はありません。即ち、拒絶査定不服審判で特許性を認められないと特許は不成立ということになります。以前は、日本と同様に分割出願を行って延命するという方法があったのですが、2010年の法改正により、分割出願の時期と機会が制限され、拒絶査定を受けた際の延命措置としての分割出願は実質的に不可能になりました。

RCEが可能な時期

審査終結状態にある(prosecution is closed)が、出願が生きている段階であれば請求することができます。具体的には、例えば、以下のような状況で、RCEが可能です。

・ 最後の審査通知(Final Action)発行後で且つ出願放棄確定前

・ 許可通知(Notice of Allowance)発行後で且つ登録料納付前

・ USPTO審判部における審判係属中

審判請求書(Notice of Appeal)提出後に、RCEした場合には、審判請求は取り下げられたとみなされ、審査が再開されます。

審査中で最新の審査通知がfinalで無い場合には、RCEは認められません。

RCE申請手続き

RCEの申請は、料金(large entityで$930、small entitiyで$465)の支払いと共に、RCE申請フォームと以下の書類を提出することが必要です。

出願の状態 RCE請求時に提出する必要がある書類
最後の審査通知(Final Action)後 最後の審査通知に対する応答(既に提出済みの場合は、原則的に必要無し)
査定系クウェイル通知*(Ex Parte Quayle action)後  (*方式的不備を訂正すれば特許査定となる旨を通知するもの) Ex Parte Quayle actionに対する回答
許可通知(Notice of Allowance)後 IDS、補正、新たな議論、新たな証拠など
審判請求後 最後の審査通知に対する応答(例えば、提出済みの審判理由書や審判部の見解に対する答弁書における議論を援用する旨の上申書)


RCEを提出する状況で一番多いのは、Final Actionを受けて補正書、意見書、証拠などを提出したが、それが新たな争点(New Issue)を提起するものであって考慮出来ないとの指摘をUSPTOから受けて、その対応としてRCEを提出するという状況だと思います。そのような場合に、単に提出済み書類を考慮させたいのであれば、RCE申請フォームと料金を支払うだけで済みます。そしてRCEにより審査が再開され、審査官はFinal Action後に提出したクレームの補正や証拠を考慮した上で、non-finalの審査通知若しくは許可通知(Notice of Allowance)を発行します。

RCEに関する注意事項

場合によっては、折角RCEしたのに、RCE後の最初の審査通知がFinal(しかもRCE前のFinal Actionと同じ拒絶理由)となってしまうことも有りますので注意が必要です。

具体的には、以下の2つの要件が同時に満たされると、RCE後の最初の審査通知がFinal Actionとなってしまいます。

(1) RCE前のクレームとRCE後のクレームとが同一である。

(2) RCE後の審査における拒絶の理由がRCE前の審査における拒絶の理由と同一である。

このような状況になるのは、例えば、Final Actionに対して補正を行わず単に反論のみを提出した場合、Final Actionに対に対する回答が間に合わず、延命措置としてRCEを提出した場合などが挙げられます。

上記のような状況になる可能性がある場合には、RCEと同時若しくはRCE後、速やかに何らかの補正を提出するなどの手段を講じることが望ましいです。その際の補正は純粋に形式的なものでよく、例えば、得に重要でない特徴に関する従属クレームの追加などでも構いません。また、そのクレームが不要であれば、後で削除することもできます。

もしも補正や新たな証拠を提出する予定があるが、準備に暫く時間がかかるような場合には、RCEと同時又はその直後に審査の一時中断を申請する(Request for a 3-month Suspension of Action by the USPTO under 37 CFR 1.103 (c))ということも考えられます。

RCE制度の現状と今後

上記したようにRCEの回数を制限しようとするルール改正は断念されましたが、近年、別の手法でRCE制度の利用を抑制する方向の動きが見られます。

USPTOにおける処理スケジュール

1つは、2009年11月15日から導入されている新たな管理体制です。

以前は、原則として、審査官はRCE後2ヶ月以内にアクションを出すことが求められており、RCEにより、審査が大きく遅れるようなことはありませんでした。しかし、2009年11月15日以降は、RCEが請求された件は、“special new” docket に入れられることになり、そこでは「2ヶ月以内」という制約はなく、審査官は、自らの仕事の負荷に応じて比較的自由なスケジュールで処理することが許されています。

これに伴い、最近は、RCE後の処理の遅れが目立つようになってきています。米国特許庁のウェブサイトで提供されているPAIR(Patent Application Information Retrieval)システムで、出願の経過を確認することができますが、最近は、RCEを請求すると、その後 “Docketed New Case—Ready for Examination” という状態になったまま長らく動きが止まってしまいます。RCE後、半年以上経過してもアクションが出ないケースもあります。

RCE請求の手数料の値上げ

RCEを利用するために、米国特許庁へ支払う料金は、それが何回目の請求であるかに関わらず1回のRCEにつきlarge entityで$930、small entityで$465であったものが、2013年3月19日以降は、一回目のRCEの料金がlarge entity$1,200、small entity$600に、二回目以降のRCEの料金がlarge entity$1,700、small entity$850に値上げされます(2013年1月18日に公表された新料金)。

RCEを不要にする制度の試行

RCE等を利用せずに、審査の効率化を図る目的で以下のような試行プログラムが実施されています。

・ After Final Compact Prosecution (AFCP) 試行プログラム (試行期間:2013年5月18日まで(当初、2012年6月16日までの予定だったが延長された))

現行の規則に従えば、最終庁指令通知(Final Office Action)後に提出された補正や証拠を審査官に考慮させるためには、RCE等の手続きが必要になることが多いが、AFCP試行プログラムでは、Final後に提出された補正や新たな証拠について、限定的な(特許で約3時間、意匠で約1時間以内で済むような)検討や調査によって、該補正や証拠により特許査定できるとの判断が可能な場合、RCE等を行わずに補正や証拠を審査官に考慮させることが可能。

・ Quick Path Information Disclosure Statement (QPIDS)試行プログラム(試行期間:2013年9月30日まで(当初、2012年6月16日までの予定だったが延長された))

米国の現行のシステムにおいては、登録料支払い後にIDSを提出して考慮させる為には、RCEや継続出願が必要だが、QPIDS)試行プログラムでは、登録料支払い後にIDSをUSPTOに考慮させることが可能。


特にAFCPは、試行期間が延長されましたが、出願人や実務者にとって非常に有益な試みであり、常設的なプラクティスとなることが望まれます。これまでは、審査の経緯や審査官の主張の趣旨から考えて、本格的な検討や調査を行わずとも、出願を特許可能な状態にできることが明らかな補正や証拠であっても、Final後は、新たな争点(New Issue)を提起するものであって考慮できないとの指摘を受け、結局、RCEや審判請求が必要になってしまい、非合理的なプラクティスだと感じていた出願人や実務者も多いはずです。そのような指摘も受けての試行プログラムでしょうから、本格実施へ移行する可能性も十分にあると考えられます。

2000年に導入されて以来、盛んに利用されてきたRCE制度ですが、上記のことから分かりますとおり、近い将来、その運用が大きく変わる可能性があります。

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米国(4): 情報開示義務(IDS)

米国出願に関して、以前からかなり神経質な管理を要する制度でしたが、米国連邦控訴巡回裁判所(CAFC)大法廷の判決(Therasense, Inc. v. Becton, Dickinson & Co. (Fed. Cir. 2011) (en banc))において、Inequitable Conduct (不衡平行為もしくは不公正行為)の判断基準が引き上げられて、その立証が困難になり、さらに2011年の法改正(AIA, America Invents Act)により、Inequitable Conduct (不衡平行為)回避の目的で利用できるSupplemental Examination(補足審査又は補充審査)制度(2012年9月16日から施行)が導入されることになっており、関連情報をIDSとして提出しなかったことが不衡平行為と認められて特許が権利行使不能(unenforceable)となる事例は激減すると見込まれています。

しかし、上記のTherasense, Inc. v. Becton, Dickinson & Co.のケースでは、結局、差し戻された地裁において、CAFC大法廷により引き上げられた基準に基づいてもInequitable Conduct (不衡平行為)があったと判決されました。また2012年9月16日から施行される上記のSupplemental Examination(補足審査又は補充審査)制度を利用するためには、本稿の最後で説明致しますが、非常に高額な手数料を米国特許庁に支払う必要があります。そのような事情を考慮すると、基本的にはこれまでの管理体制を変えないことが望ましいと考えられます。以下、具体的に説明いたします。

概要と近年の動向

情報開示義務は、37 CFR 1.56に定められており、これによると、出願人とその関係者は、特許性に関する重要な(material)情報(対応外国出願のサーチレポートにおける先行技術を含む)を公正かつ誠実に提供する義務を有します。この開示義務に違反して特許を取得したと認められた場合は、Inequitable Conduct (不衡平行為若しくは不公正行為)があったとみなされ特許権の行使が出来なくなってしまいます。

米国の特許訴訟において、これまでは情報開示義務違反によるInequitable Conduct (不衡平行為)の訴えは極めてポピュラーな攻撃手段でありました。米国での特許訴訟の実に約8割において、不衡平行為の主張がなされています。

特許の有効・無効の争いであれば、クレームベースですので、あるクレームが無効と判断されても他のクレームが有効であれば権利は残りますが、情報開示義務違反によるInequitable Conduct(不衡平行為)を認められれば、一切の権利行使が不可能になってしまいます。しかも、場合によっては、関連の特許にまで影響を及ぼすこともあります。

従って、これまでは出願人は、かなり神経質に関連の有りそうな文献は全て提出するということを行っていましたが、この不衡平行為による訴訟費用の高騰や手続遅延などが問題視され、上記Therasense事件におけるCAFC大法廷の判決、2011年9月の法改正による補足(補充)審査(Supplemental Examination)制度の導入(2012年9月16日から施行)と、特許訴訟におけるInequitable Conduct(不衡平行為)の主張を抑制する方向の動きが顕著になってきています。

情報開示義務の規定(37 CFR 1.56)

米国においては、特許性に関する重要(material)な情報について、出願に関係する者(発明者、弁護士・弁理士、その他出願手続に関与した者)は公正かつ誠実に提供する義務があります。

提出すべき情報には、対応外国出願のサーチレポートにおける先行技術などが含まれ、そのような情報を、情報開示申告書(Information Disclosure Statement; IDS)として提出します。この開示義務を怠った場合には特許は認められません。

IDSは、登録料(issue fee)支払までであれば提出することができます(37 CFR 1.97(d))。

出願から3ヶ月以内または最初の審査通知(拒絶理由通知又はNotice of Allowance)発行のうち何れか遅い方までであれば、提出料は不要です(37 CFR 1.97(b))。

上記以後は、提出料[$180(37 CFR 1.17(p))]が必要になります。更にこの場合、IDSとして提出する情報は、出願人がそれを知ってから若しくは外国の特許庁に引用されてから3ヶ月以内に提出する必要が有り、その旨を説明する陳述書を提出することが必要です(37 CFR 1.97(e))。3ヶ月を経過しているような場合には、その情報をIDSとして考慮させる為には、継続出願または継続審査要求(RCE)をすることが必要になります。

また、登録料支払い後にIDSを提出する際も、それを考慮させる為には、継続出願または継続審査要求(RCE)をすることが必要になります。(但し、2013年3月23日までの暫定的な試行プログラムとして、登録料支払い後にIDSをUSPTOに考慮させることを可能にするQuick Path Information Disclosure Statement (QPIDS)が実施されています。)

不衡平行為(inequitable conduct)

特許成立後に、情報開示義務違反が認められると、権利行使不能(unenforceable)となってしまいます。

以前は、情報開示義務違反の判断基準には、"sliding scale"と称されるアプローチが採用されていました。これは、情報開示義務違反を有無を、以下の2つの要件のバランスで判断するものです:

(1)開示しなかった情報が特許性に及ぼす重要性、及び

(2)情報隠蔽の意図の存在の明確性

即ち、sliding scaleアプローチにおいては、(1)の重要性が高ければ、(2)の明確性が低くても不衡平行為(inequitable conduct)認められ、逆に(1)の重要性が低くても、(2)の明確性が高ければ、不衡平行為(inequitable conduct)認められるということになっていました。

しかし、米国連邦控訴巡回裁判所(CAFC)大法廷の判決(Therasense, Inc. v. Becton, Dickinson & Co. (Fed. Cir. 2011) (en banc))において、(1)の重要性と(2)の明確性が共に十分に高いことが立証された場合にのみ不衡平行為があったものと認定すべきと判示されました。

上記(1)の「開示しなかった情報が特許性に及ぼす重要性」については、"But For" Materialityと称される基準に基づいて判定されこととなりました。この基準に従うと、出願人が開示しなかったことが不衡平行為(inequitable conduct)と認められるような先行技術は、もしその先行技術を審査の段階で審査官が知っていたならば、特許許可されなかったであろうと言えるようなものということになります。(但し、出願人側に積極的な悪質不正行為(affirmative egregious misconduct)があったと認められる場合には、"But For" Materiality基準による重要性の立証は不要。)

上記(2)の「情報隠蔽の意図の存在」については「明白且つ説得力のある証拠」(Clear and Convincing Evidence)が要求されます。

以上のようなことから、現在では、不衡平行為(inequitable conduct)の訴えが認められる可能性は相当低くなったと思われます。しかし、上記のTherasense事件のCAFC大法廷からの差し戻し審においては、出願人が、関連のある先行技術の開示内容について、USPTOに対して提出した宣誓書の内容と矛盾した内容の意見書をEPOに提出しながら、このEPOに提出した意見書を、IDSとしてUSPTOに提出しなかったという事実に基づいて、「開示しなかった情報が特許性に及ぼす重要性」及び「情報隠蔽の意図の存在の明確性」の基準を共に満たすとして、不衡平行為の存在が認められてしまいましたので、やはり油断は禁物です。

2012年9月16日から施行されている上記の補充審査(Supplemental Examination)制度は、不衡平行為回避のために導入されるものですが、上記Therasense事件のように、訴訟になってから相手側(被疑侵害人)に初めて指摘された事実に対する補充審査は認められません。補充審査については以下に具体的に説明します。

補充審査(Supplemental Examination)

補充審査制度においては、IDSとして提出し忘れた情報が有っても、その情報を提出しなかったことが情報開示義務違反に当たるかを特許庁に判定してもらい、もし違反に当たるようならば、当該情報に関する再審査を請求できるようになりました。

現行の査定系再審査(ex parte reexamination)も、情報開示義務違反(Inequitable Conduct)回避の目的で利用できます。この査定系再審査は、2011年の法改正後も特に変更なく維持されます。しかし、補充審査(Supplemental Examination)の導入により、Inequitable Conduct回避の機会は広がりました。

査定系再審査(ex parte reexamination)と補充審査(Supplemental Examination)の違いは以下のようになります。

(1)審査段階でIDSとして提出されなかった情報の種類

査定系再審査: 特許文献又はその他の印刷刊行物に限定されていた。

補充審査: 特に制限がなく、例えば、非公開の情報や販売の申し出を示す情報なども含む、情報開示義務違反(Inequitable Conduct)の根拠となり得る全ての情報が審査の対象になる。

(2)当該情報の関連性

査定系再審査: "substantial new question of patentability"(特許性に関する実質的に新たな問題)が提起されることが要求されている。

補充審査: 特に制限なし。補充審査で提示された情報に関して、特許性に関する実質的な新たな問題があると判断された場合には、査定系再審査(ex parte reexamination)への移行を命じられる。

IDSとして提出されなかった情報について補充審査を受け、「特許性に関する実質的に新たな問題」が無いと判断されたか、その後の査定系再審査の結果、特許性が認められれば、後に特許訴訟に発展しても、当該情報をIDSとして提出しなかったことが情報開示義務違反(Inequitable Conduct)と認められることはありません。

尚、補充審査(Supplemental Examination)制度は、2012年9月16日から施行され、出願日・登録日を問わずすべての特許に適用される予定です。但し、権利行使を検討していて、情報開示義務違反(Inequitable Conduct)の恐れがある場合には、警告状の送付や訴訟を提起する前に、補充審査を受けておくことが重要です。補充審査、若しくはその後の査定系再審査の結果に基づく免除権を享受するためには、侵害訴訟を起こす前に、この補充審査が完了していなければなりません。また、Declaratory Judgement Action(確認訴訟:通常、特許権者から侵害者として警告状を受けた者が、非侵害である若しくは特許無効であるとの司法判断を引き出すために提起する)が係属中に、補充審査を請求しても、上記の免除権を享受することはできません。

補充審査の手数料

以上のように、情報開示義務違反(Inequitable Conduct)回避のための新たな手続きとして注目をあつめている補充(補足)審査(Supplemental Examination)制度ですが、2013年1月18日に発表された最終的な施行規則によると、以前よりはかなり値下げされましたが、それでも非常に高額な費用設定となっています。具体的には、補充審査(Supplemental Examination)請求時に米国特許庁に対して支払う必要がある費用は、$16,500 [*内訳: 補充審査(Supplemental Examination)請求 $4,440 + 査定系再審査(ex parte reexamination)請求 $12,100]であり、査定系再審査が不要となった際("substantial new question of patentability"が無いと判断された場合)には、査定系再審査(ex parte reexamination)費用$12,100が払い戻されるということになっています。

従って、気軽に利用できる手続きとは言えませんが、訴訟における不衡平行為(inequitable conduct)の抗弁には多大な手間と費用を要すること、更には権利行使不能となる可能性を考慮すると、有用な手続きであるということには違いありません。

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《特許出願明細書》

分野 : バイオテクノロジー(細胞生物学) (和英)

原文:

更に、MAPKキナーゼの活性化には、キナーゼドメインVIIとVIIIの境界領域にある2つのセリン及び/又はスレオニン残基(即ち、2つのセリン残基、2つのスレオニン残基又はセリンとスレオニン残基)のリン酸化が必要で、このリン酸化を担うセリン/スレオニンキナーゼをMAPKKキナーゼ(MAPKKK)と総称する。前記のRaf-1はMAPKKキナーゼの一種であり、Ras→Raf-1(即ち、MAPKKK)→MAPKK→MAPKという連鎖は、シグナル伝達の主要経路の一つである。MAPKKK→MAPKK→MAPKという3分子からなるキナーゼの連鎖をMAPキナーゼシグナルカスケードと呼ぶ。

英訳文:

For activating a MAPK kinase, it is necessary to phosphorylate two serine and/or threonine residues (i.e., two serine residues, two threonine residues, or one serine residue and one threonine residue) located in the boundary region between the kinase subdomains VII and VIII, and a serine/threonine kinase responsible for this phosphorylation is designated MAPKK kinase (MAPKKK). The above-mentioned Raf-1 is one example of MAPKK kinase, and the following cascade reaction: Ras → Raf-1 (i.e., MAPKKK) → MAPKK → MAPK, is one of the major signal transduction pathways. The cascade reaction consisting of three kinase molecules, MAPKKK → MAPKK → MAPK, is called a MAP kinase signal cascade.

分野:バイオテクノロジー(遺伝子工学) (和英)

原文:

SIIS-1発現プラスミドの構築上記(ii)で単離したSIIS-1cDNAを制限酵素XbalとPvuIIで消化し、得られた制限酵素断片をブラントエンド化し、哺乳動物発現ベクターpEF-BOSのブラントエンド化したXbalサイトに挿入した。以下、構築したSIIS-1発現ベクターをpEF-BOS/SIIS-1(SH+)とする。SH2領域を欠損した変異型SIIS-1を構築するために、pEF-BOS/SIIS-1(SH+)を制限酵素BssHIIで消化し、生じた360bpの断片を除去した。得られたSH2領 域及びC末端の領域を欠損したSIIS-1発現ベクター(即ち、SIIS-1変異ベクター)を、pEF-BOS/SIIS-1(SH-)とした。 上記で構築したpEF-BOS/SIIS-1(SH+)又はpEF-BOS/SIIS-1(SH-)のいずれか一方の発現ベクターとネオマイシン耐性遺伝子をコードするpSV2 Neoとを20:1の比率で混ぜ、M1細胞にエレクトロポレーション法で形質導入した。ネオマイシン耐性を指標とし、形質導入体(クローン)をGeneticin(米国、GIBCOBRL社製)750μg/mlを含む成長培地中で選択した。

英訳文:

Construction of SIIS-1 expression vectors: SIIS-1 cDNA isolated in step (ii) above was digested with restriction enzymes XbaI and PvuII, and the end of the obtained restriction fragment (XbaI-PvuII) was converted into a blunt end. Then, the resultant blunt-ended fragment was inserted into the blunt-ended XbaI site of the mammalian expression vector pEF-BOS. Hereinafter, the constructed SIIS-1 expression vector is simply referred to as "pEF-BOS/SIIS-1 (SH+)". For the construction of a mutant SIIS-1 which is an SH2 domain-deficient SIIS-1, a BssHII-digested fragment of 360 bp was removed from pEF-BOS/SIIS-1 (SH+). The thus obtained SIIS-1 expression vector (that is, a mutant SIIS-1 vector) which is deficient in the SH2 domain and is truncated at the C-terminus is hereinafter simply referred to as "pEF-BOS/SIIS-1 (SH-)". Each of the expression vectors pEF-BOS/SIIS-1 (SH+) and pEF-BOS/SIIS-1 (SH-) prepared above was individually mixed with expression vector pSV2 Neo (encoding a neomycin-resistance gene) at a ratio of 20:1. Subsequently, each of the resultant vector mixtures was separately transfected into M1 cells by electroporation. Using neomycin resistance as an index, the transfectants (i.e., clones) were selected in the growth medium containing Geneticin (manufactured and sold by GIBCO BRL, USA) at 750 μg/ml.

分野 : 樹脂成形 (和英)

原文:

本発明の発泡射出成形方法によれば、金型キャビティ内壁面形状の転写性が良好で、無発泡の表皮層と高発泡の発泡層を有する成形品を再現性良く、効率的、経済的に製造することができるだけでなく、成形品の表皮層の厚さおよび成形品の発泡倍率を容易に制御することができる。

英訳文:

The foam-injection molding method of the present invention is advantageous not only in that a molded article which exhibits excellent reproduction of the morphology of the inner wall of the mold cavity and which has both a non-foamed surface skin layer and a highly foamed interior portion can be produced with excellent reproducibility and high efficiency and economically, but also in that the thickness of the surface skin layer and the expansion ratio of the molded article can be easily controlled. The foam-injection molding method of the present invention can provide various excellent foam-injection molded articles of a thermoplastic resin at a low cost.

分野 : 電気工学 (和英)

原文:

本発明は、複合色素及びn型半導体を包含する光電変換素子であって、該複合色素は、互いに 異なる励起準位を有する複数の成分色素が互いに化学結合されてなり、それにより、電子移動用の直鎖又は枝分かれ構造体を形成し、該直鎖又は枝分かれ構造体は一端において該n型半導体に保持され、他端は自由端であり、その励起準位が該直鎖又は枝分かれ構造体の上記のn型半導体に保持された端部から、上記の自由端に向かって減少する順序で配列されていることを特徴とする光電変換素子に関する。

英訳文:

The present invention is concerned with a photoelectric conversion element comprising a composite dye and an n-type semiconductor, the composite dye comprising a plurality of component dyes which have different excitation levels and which are chemically bonded to each other to form a straight chain or branched structure for transferring an electron therethrough, wherein the straight chain or branched structure is, at one end thereof, secured to the n-type semiconductor and has, at least at one other end thereof, a free end, and wherein the plurality of component dyes are arranged in an order such that the excitation levels of the plurality of component dyes are decreased as viewed from the one end of the structure toward the at least one other end of the structure.

分野 : 電気工学 (和英)

原文:

本発明の光電変換素子は、光電変換性能に優れ、特に、太陽エネルギーからのエネルギー取り 出し効率(エネルギー変換効率)が高く、また、それを用いて簡便に色素増感型太陽電池を製造 することができるので、色素増感型太陽電池などに有利に用いられる。

英訳文:

The photoelectric conversion element of the present invention exhibits excellent photoelectric conversion properties, especially high efficiency in converting solar energy to electric energy (i.e., high energy conversion efficiency), and a dye sensitized solar battery can be easily produced therefrom. Therefore, the photoelectric conversion element of the present invention can be advantageously used for a dye sensitized solar battery and the like.

分野 : 樹脂成形 (和英)

原文:

文明社会はエネルギーの消費によって成立するが、そのエネルギーの大部分は、自然が長年か けて太陽光エネルギーを蓄えた化石燃料に由来する。近年、その化石燃料の減少やその燃焼に よる地球温暖化問題が、人類社会の持続的発展の足かせとなる危惧が高まっている。 これらの問題を解決するために、太陽エネルギーから直接エネルギーを取り出す研究開発が盛 んに行われている。これらの中で、太陽電池は太陽エネルギーからのエネルギー取り出し効率 (エネルギー変換効率)が高いため多くの研究が為されている。とりわけ、色素に代表される光 増感剤を用い、その励起電子を効率よく取り出すことが可能な色素増感型太陽電池は、Michae l Gratzel等によって、エネルギー変換効率が7%を超えるシステムが発表(Nature 1991,353,737参照)されて以来、複雑な製造工程を経ず、安価に製造できる次世代の太陽 電池として注目を集めている。

英訳文:

Consumption of energy is indispensable to civilized society. Most of the energy which is consumed by civilized society is derived from fossil fuels, in which sunray energy has been accumulated over many years. In recent years, the problem that the amount of fossil fuels available is being reduced and the problem that the burning of fossil fuels causes global warming have arisen, and there is an increasing fear that these problems will be obstacles to the sustainable development of human society. For solving the above-mentioned problems, various studies have been made to directly utilize sunray energy. Among these studies, the studies on solar batteries have been vigorously made, because solar batteries exhibit high efficiency in converting solar energy to electric energy (i.e., high energy conversion efficiency). Among the solar batteries, special attention has been paid to a dye sensitized solar battery, which uses a photosensitizer, such as a dye, and which is capable of efficiently taking out electrons from the photosensitizer by the irradiation of the photosensitizer with sunray. Specifically, since Michael Gratzel et al. reported a system which uses a dye sensitized solar battery having an energy conversion efficiency of more than 7 % (see Nature 1991, 353, 737), a dye sensitized solar battery has drawn special attention as the next generation solar battery which can be produced at a low cost without use of a complicated method.

分野 : 鉄鋼技術、機械 (英和)

原文:

A production line for manufacturing hot steel strips from two casting lines (a, b) for thin slabs of thickness < 100 mm, only one of which (a) is aligned with a rolling line (e, g) characterized by comprising superimposed heating furnaces with mandrel (Al, A.2; Bl, B2), one pair on line (a) and one on line (b) respectively, both provided with internal mandrel to allow winding/unwinding steps of pre-strips having thickness lower than 30 mm, further comprising a bypass length (d) between said two furnaces (Al, A2) for the endless rolling in a finishing rolling mill (g) through a roller path (e), and a transverse path (k.) for transferring said pair of furnaces (Bl, B2) from line (b) to line (a) fox the production of single strips, there being provided an induction furnace (f) downstream of said heating furnaces with mandrel and immediately upstream of said finishing rolling mill (g).

和訳文:

熱間鋼帯を製造するための製造ラインであって、厚み100mm未満の薄いスラブ製造用の2つの鋳造ライン(a)及び(b)、該鋳造ライン(a)と直列に配置されてなる、ローラーコンベア(e)及び仕上用圧延機(g)を含む圧延ライン、上下に重なり合った加熱炉(A1)及び(A2)であって、該鋳造ライン(a)で製造されたスラブから得られる厚み30mm未満の仕上前鋳片の巻き取り及び巻き出し用マンドレルを内部に有しており、該鋳造ライン(a)に設けられた加熱炉(A1)及び(A2)、上下に重なり合った加熱炉(B1)及び(B2)であって、該鋳造ライン(b)で製造されたスラブから得られる厚み30mm未満の仕上前鋳片の巻き取り及び巻き出し用マンドレルを内部に有しており、鋳造ライン(b)に設けられた加熱炉(B1)及び(B2)、該鋳造ライン(a)で製造されたスラブを、ローラーコンベア(e)を介して仕上用圧延機(g)で連続的圧延に付すためのバイパス経路(d)であって、加熱炉(A1)と(A2)との間に設けられたバイパス経路(d)、加熱炉(B1)及び(B2)を、鋳造ライン(b)から鋳造ライン(a)に移動するための横断経路(k)、及びマンドレルを有する該加熱炉の下流であって、該仕上用圧延機(g)の直上流に設けられた誘導炉(f)、を含むことを特徴とする製造ライン。

タグ:

米国  発明  必要  上記  以下  or  be  可能  方法  an  成分  制限  not  選択  本発明  with  design  問題  特徴  action  at  技術  容易  one  art  invention  原文  present  after  any  has  導入  近年  above  製造  epo  複数  report  only  been  英訳文  英訳  参照  such  II  分野  工程  use  other  into  will  system  we  more  method  than  between  made  mentioned  III  all  but  解決  problem  having  non  necessary  also  inter  through  resin  was  there  A2  go  部分  A1  consisting  発表  エネルギー  step  type  both  so  excellent  ex  high  following  有利  サイト  和英  said  steps  re  ライン  成立  years  each  end  without  直接  single  comprising  heat  obtained  SIIS  form  prepared  energy  システム  Therefore  further  SIIS  out  動物  機械  two  solar  注目  properties  example  reaction  because  many  ii  provide  kinase  amount  used  least  do  ベクター  provided  year  referred  were  component  conduct  pEF  BOS  simply  index  plurality  conversion  respect  MAPKK  where  ep  化学  複雑  バイオテクノロジー  expression  効率的  articles  DNA  主要  obtain  和訳  structure  dye  efficiency  SH  restriction  main  MAPK  wherein  like  減少  制御  available  battery  細胞  designated  article  directly  construction  being  cost  一端  different  BOS  他端  production  containing  these  一種  開発  VIII  加熱炉  various  MAPKKK  her  pEF  per  element  electric  see  vector  three  am  its  sensitized  バイ  バイオ  B2  セリン  product  太陽  キナーゼ  term  単離  構築  his  herein  rolling  result  長年  該鋳造  order  変換  訳文  経済的  paid  SH  発現  converted  thus  threonine  以来  再現  スラブ  スレオニン  安価  効率  resistance  portion  遺伝子工学  電気工学  individual  順序  reported  ratio  鋳造  Raf  attention  製造用  枝分  VII  mandrel  未満  allow  act  photoelectric  構造体  located  There  less  構造  lines  easily  由来  B1  形成  foam  furnaces  exhibits  domain  due  highly  hereinafter  serine  batteries  耐性  代表  blunt  自然  内部  色素増感型太陽電池  dyes  development  保持  マンドレル  発泡倍率  composite  complicated  簡便  ended  concerned  cells  capable  光電変換素子  cascade  exam  converting  chemical  電池  配置  コード  advantage  able  XbaI  Specifically  Nature  view  late  manufacture  和訳文  residues  半導体  残基  since  injection  separate  樹脂  成形品  up  own  pair  型半導体  over  problems  produced  photosensitizer  path  変換効率  molded  molding  mutant  my  vectors  immediately  前記  fragment  fuels  制限酵素  surface  fossil  分子  therefrom  thickness  studies  sunray  strips  special  society  taking  酸化  連鎖  mm  Xbal  II  性能  指標  電子  除去  領域  エレクトロポレーション  研究  仕上前鋳片  仕上用圧延機  移動  比率  包含  伝達  化学結合  化石燃料  樹脂成形  欠損  消化  励起準位  発展  シグナル  該直鎖又  変異  表皮層  ローラーコンベア  リン  上下  経路  バイパス  ネオマイシン  ブラントエンド  英和  自由端  next  oa  neomycin  Ras  PvuII  SH2  mold  major  man  advantageous  low  mill  mm  ml  USA  range  MAP  Hereinafter  recent  red  free  fr  fox  foamed  deficient  heating  convert  finishing  excitation  exhibit  efficiently  ed  digested  fact  human  ip  invent  branched  internal  levels  layer  arranged  coding  increasing  civilized  causes  called  chain  uses  Each  respectively  resultant  responsible  Among  skin  BssHII  site  Bl  sold  straight  separately  semiconductor  signal  way  steel  transferring  transfer  toward  Gratzel  residue  Geneticin  thereof 

米国:QPIDS試行プログラム

米国:登録料支払い後にIDSをUSPTOに考慮させるQPIDS試行プログラムの実施 

米国の現行のシステムにおいては、登録料支払い後にIDSを提出して考慮させる為には、継続出願または継続審査要求(RCE)をすることが必要ですが、登録料支払い後にIDSをUSPTOに考慮させる"Quick Path Information Disclosure Statement" (QPIDS)試行プログラムが、2012年5月16日~2012年9月30日の間実施されます。

QPIDS試行プログラムの適用を受けるためには、EFS-webにて、料金の支払いと共に以下の提出が必要です。

1. QPIDS transmittal (new form PTO/SB/09)

2. IDS、1.97(e) の適時性陳述書(timeliness statement) 及び料金$180

3. 特許発行取下げ申請と料金$130

4. 暫定的継続審査請求("conditional"  Request for Continued Examination(RCE))と料金$930 (large entities)

特許発行取下げ申請が認められると、審査官が速やかに検討し、審査の再開が妥当と判断されると、RCEが認められ、IDS料金は返還されます。

逆に審査の再開が不要と判断されると、修正されたNotice of Allowanceが発行され、RCEは却下され、RCE料金も返還されます。

米国:AFCP及びQPSIDの施行期間の延長

USPTO: AFCP実施期間を2012年12月15日まで再度延長

米国特許商標庁(USPTO)は、特許(Utility Patent)・意匠(Design Patent)出願に対する最後の拒絶理由通知(Final Office Action)後に、審査の再考を促す機会を与えるAfter Final Consideration Pilot(AFCP)プログラムを、2012年3月25日から6月16日までに提出された応答を対象として実施しておりましたが、この試行期間が一度2012年9月30日まで延長され、この度2012年12月15日まで再度延長されることとなりました。

AFCPプログラムの概要についてはこちらで説明しておりますのでご参考下さい。

USPTO: QPIDS試行期間を2012年12月15日まで延長

米国特許商標庁(USPTO)は、登録料支払い後にIDSをUSPTOに考慮させる"Quick Path Information Disclosure Statement" (QPIDS)プログラムを、2012年5月16日~2012年9月30日の期間で施行しておりましたが、この試行期間が2012年12月15日まで延長されることとなりました。

QPIDSプログラムの概要についてはこちらで説明しておりますのでご参考下さい。

米国:AFCP、QPSIDの施行期間の更なる延長

USPTO: AFCP実施期間を2013年5月18日まで延長

米国特許商標庁(USPTO)は、特許(Utility Patent)・意匠(Design Patent)出願に対する最後の拒絶理由通知(Final Office Action)後に、審査の再考を促す機会を与えるAfter Final Consideration Pilot(AFCP)プログラムを、2012年3月25日より実施しており、実施期間はこれまでに何度か延長され、2013年3月23日迄となっておりましたが、更に2013年5月18日まで延長されることとなりました。

AFCPプログラムの概要についてはこちらで説明しておりますのでご参考下さい。

USPTO: QPIDS試行期間を2013年9月30日まで延長

米国特許商標庁(USPTO)は、登録料支払い後にIDSをUSPTOに考慮させる"Quick Path Information Disclosure Statement" (QPIDS)プログラムを、2012年5月16日より試行しており、この試行期間はこれまでに何度か延長され、2012年3月23日迄となっておりましたが、更に2013年9月30日まで延長されることとなりました。

QPIDSプログラムの概要についてはこちらで説明しておりますのでご参考下さい。


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